型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: MOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR15625+￥17.479850+￥16.7328200+￥16.3145500+￥16.20991000+￥16.10532500+￥15.98585000+￥15.91117500+￥15.8364 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube96275+￥33.567350+￥32.1328200+￥31.3295500+￥31.12871000+￥30.92782500+￥30.69835000+￥30.55497500+￥30.4114 -
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品类: MOS管描述: MOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR592310+￥8.1360100+￥7.7292500+￥7.45801000+￥7.44442000+￥7.39025000+￥7.32247500+￥7.268210000+￥7.2410 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPP034NE7N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.003 ohm, 10 V, 3.1 V62741+￥39.491410+￥37.2255100+￥35.5423250+￥35.2833500+￥35.02431000+￥34.73302500+￥34.47415000+￥34.3122 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPP052NE7N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0047 ohm, 10 V, 3.1 V125210+￥6.3000100+￥5.9850500+￥5.77501000+￥5.76452000+￥5.72255000+￥5.67007500+￥5.628010000+￥5.6070 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPP023NE7N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.1 V23675+￥15.490850+￥14.8288200+￥14.4581500+￥14.36541000+￥14.27272500+￥14.16685000+￥14.10067500+￥14.0344 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052NE7N3GXKSA1, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装205810+￥7.3920100+￥7.0224500+￥6.77601000+￥6.76372000+￥6.71445000+￥6.65287500+￥6.603510000+￥6.5789 -
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品类: MOS管描述: N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO- 220 MOSFET的STripFET N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO-220 STripFET MOSFET8719 -
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品类: MOS管描述: NDP6060L 管装308010+￥11.9280100+￥11.3316500+￥10.93401000+￥10.91412000+￥10.83465000+￥10.73527500+￥10.655710000+￥10.6159 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。26575+￥30.817850+￥29.5008200+￥28.7633500+￥28.57891000+￥28.39452500+￥28.18385000+￥28.05217500+￥27.9204 -
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品类: MOS管描述: ON SEMICONDUCTOR NDPL070N10BG 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 100 V, 0.009 ohm, 15 V, 4 V66505+￥5.386525+￥4.987550+￥4.7082100+￥4.5885500+￥4.50872500+￥4.40905000+￥4.369110000+￥4.3092 -
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品类: MOS管描述: P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor321310+￥6.2040100+￥5.8938500+￥5.68701000+￥5.67672000+￥5.63535000+￥5.58367500+￥5.542210000+￥5.5216 -
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品类: MOS管描述: N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor48445+￥20.381450+￥19.5104200+￥19.0226500+￥18.90071000+￥18.77882500+￥18.63945000+￥18.55237500+￥18.4652 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor44935+￥5.116525+￥4.737550+￥4.4722100+￥4.3585500+￥4.28272500+￥4.18805000+￥4.150110000+￥4.0932 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor67725+￥2.092525+￥1.937550+￥1.8290100+￥1.7825500+￥1.75152500+￥1.71285000+￥1.697310000+￥1.6740 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET,500V,10.5A,0.52Ω,单N沟道38205+￥5.508025+￥5.100050+￥4.8144100+￥4.6920500+￥4.61042500+￥4.50845000+￥4.467610000+￥4.4064 -
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品类: MOS管描述: 10A,620V,N沟道功率MOSFET96115+￥12.156350+￥11.6368200+￥11.3459500+￥11.27321000+￥11.20042500+￥11.11735000+￥11.06547500+￥11.0134 -
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品类: MOS管描述: ON SEMICONDUCTOR NDF08N50ZG 场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5A, 500V557720+￥0.526550+￥0.4875100+￥0.4680300+￥0.4524500+￥0.44071000+￥0.43295000+￥0.425110000+￥0.4173 -
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品类: MOS管描述: MOSFET 晶体管，ON Semiconductor64935+￥2.740525+￥2.537550+￥2.3954100+￥2.3345500+￥2.29392500+￥2.24325000+￥2.222910000+￥2.1924 -
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品类: MOS管描述: N沟道MOSFET的低导通电阻 N-channel MOSFET Low on-state resistance802310+￥10.9080100+￥10.3626500+￥9.99901000+￥9.98082000+￥9.90815000+￥9.81727500+￥9.744510000+￥9.7081 -
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品类: MOS管描述: N沟道 60V 100A56815+￥15.865250+￥15.1872200+￥14.8075500+￥14.71261000+￥14.61772500+￥14.50925000+￥14.44147500+￥14.3736 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 150V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail753010+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: 是功率MOSFET的设计，高能量的雪崩和减刑模式。 是功率MOSFET设计，高能量的雪崩和减刑模式。48395+￥3.240025+￥3.000050+￥2.8320100+￥2.7600500+￥2.71202500+￥2.65205000+￥2.628010000+￥2.5920 -
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品类: MOS管描述: P沟道TO-220AB-3封装场效应管92665+￥12.366950+￥11.8384200+￥11.5424500+￥11.46851000+￥11.39452500+￥11.30995000+￥11.25717500+￥11.2042 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET 50安培， 30伏特，逻辑电平P沟道TO- 220 Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P-Channel TO-22011895+￥5.751025+￥5.325050+￥5.0268100+￥4.8990500+￥4.81382500+￥4.70735000+￥4.664710000+￥4.6008 -
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品类: MOS管描述: 增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。874310+￥8.9160100+￥8.4702500+￥8.17301000+￥8.15812000+￥8.09875000+￥8.02447500+￥7.965010000+￥7.9352
